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分立半导体
BSZ900N20NS3 G参考图片

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BSZ900N20NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
5,000
¥5.2432
26216
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
15.2 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ9N2NS3GXT SP000781806
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ900N20NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCX558TA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:22586
FZT600BTA
Diodes Incorporated
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:39623
BS107P
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥6.4523
10:¥5.4127
100:¥3.4917
1,000:¥2.8024
参考库存:9510
VS-25TTS12FP-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR 16A 1200V Single SCR
1:¥41.3354
10:¥34.2729
100:¥28.2048
250:¥27.3573
500:¥24.5097
参考库存:4737
PEMD12,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.4747
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:40544
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