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分立半导体
SI6926ADQ-T1-E3参考图片

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SI6926ADQ-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
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数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.4749
64.749
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.2714
2135.7
3,000
¥4.2714
12814.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.2 mm
长度
4.4 mm
系列
SI6
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
SI6926ADQ-T1
单位重量
158 mg
商品其它信息
优势价格,SI6926ADQ-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:17199
分立半导体
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8
1:¥7.91
10:¥7.0286
25:¥6.3506
100:¥5.5596
参考库存:27796
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB
1:¥21.131
10:¥17.515
100:¥13.6052
500:¥11.9102
参考库存:22798
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.6105
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
5,000:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:77730
分立半导体
MOSFET 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
参考库存:51412
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