IDB30E120详细参数_参考价格_IDB30E120 PDF资料_Infineon Technologies

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	二极管 - 通用，功率，开关
RoHS	是
产品	Switching Diodes
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263-3
峰值反向电压	1200 V
最大浪涌电流	102 A
If - 正向电流	30 A
恢复时间	380 ns
Vf - 正向电压	1.7 V
Ir - 反向电流	29.5 A
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	IDB30E120
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	4.57 mm
长度	11.05 mm
端接类型	Solder Pad
类型	Fast Switching EmCon Diode
宽度	10.31 mm
商标	Infineon Technologies
Pd-功率耗散	138 W
产品类型	Diodes - General Purpose, Power, Switching
工厂包装数量	1000
子类别	Diodes & Rectifiers
零件号别名	IDB30E120ATMA1 IDB3E12XT SP000013641
单位重量	1.600 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMTH6005LK3Q-13	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V	1:¥9.0626 10:¥7.7631 100:¥5.9325 500:¥5.2432 1,000:¥4.1471 2,500:¥4.1471	参考库存:14625
IRF40H210	Infineon / IR	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET TRENCH_MOSFETS	1:¥13.5261 10:¥11.4469 100:¥9.1417 500:¥7.9891 4,000:¥5.989 8,000:查看	参考库存:20852
FGD3325G2-F085	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 ECOSPARK 2 IGNITION IGBT	1:¥11.752 10:¥9.9892 100:¥7.684 500:¥6.8139 2,500:¥4.7686 10,000:查看	参考库存:6949
RGTV60TK65DGVC11	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT	1:¥43.1095 10:¥36.6572 100:¥31.8095 250:¥30.1258	参考库存:4381
RB162MM-30TR	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 Compact and lower height LEDs w/lens	1:¥3.0736 10:¥2.3504 100:¥1.2769 1,000:¥0.9605 3,000:¥0.88366	参考库存:43763