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分立半导体
IPB80P04P4L-08参考图片

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IPB80P04P4L-08

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.6727
767.27
500
¥6.78
3390
1,000
¥5.3562
5356.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPB80P04P4L08ATMA1 IPB8P4P4L8XT SP000840208
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80P04P4L-08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650V 10A SIC SBD
1:¥29.2783
10:¥24.8939
100:¥21.5152
250:¥20.4417
2,500:¥14.6787
5,000:查看
参考库存:13584
分立半导体
MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:2201
分立半导体
整流器 3A, 200V, SMC
1:¥3.0736
10:¥2.0453
100:¥1.3786
500:¥1.10627
850:¥0.82942
参考库存:59748
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V Vr 5A Io Schottky Br Diode
1:¥4.6895
10:¥3.8533
100:¥2.3504
1,000:¥1.808
3,000:¥1.5481
参考库存:54085
分立半导体
稳压二极管 250 mW GDZ Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:138957
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