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分立半导体
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IKW40N120H3FKSA1

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数量单价合计
1
¥65.1558
65.1558
10
¥58.9408
589.408
25
¥56.1723
1404.3075
100
¥48.7934
4879.34
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
483 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N120H3 IKW4N12H3XK SP000674416
单位重量
5.420 g
商品其它信息
优势价格，IKW40N120H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N5519DUR-1
Microsemi
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100:¥379.4314
250:¥354.1533
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1N6013UR-1
Microsemi
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264:¥26.9731
500:¥24.0464
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1,000:¥11.752
2,500:¥11.1418
5,000:¥10.2152
参考库存:32926
1N3292
Microsemi
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整流器 Std Rectifier
100:¥534.8855
参考库存:32931
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