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分立半导体
SI4420DYTRPBF参考图片

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SI4420DYTRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC
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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0738
707.38
500
¥6.2489
3124.45
1,000
¥4.9381
4938.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
47 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001567504
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI4420DYTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UFS570GE3/TR13
Microsemi
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3,000:¥12.6786
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60:¥446.3613
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3,000:¥6.102
6,000:¥5.876
9,000:¥5.4353
参考库存:55759
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