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分立半导体
IRFP3306PBF参考图片

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IRFP3306PBF

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数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.9047
3726.175
500
¥13.3679
6683.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
Pd-功率耗散
220 W
配置
Single
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001564200
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRFP3306PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:3694
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1:¥62.8506
10:¥56.5565
25:¥51.5619
100:¥46.4882
参考库存:4021
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整流器 150V 60A Std. Recovery
1:¥85.6766
10:¥77.9135
25:¥72.0714
50:¥68.2294
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1:¥6.0681
10:¥5.3223
100:¥3.6838
1,000:¥2.7459
5,000:¥2.7459
参考库存:28215
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Switching
1:¥17.8314
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
参考库存:5572
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