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产品分类

分立半导体
SIHP21N65EF-GE3参考图片

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SIHP21N65EF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:36,350(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥29.8094
298.094
100
¥24.5097
2450.97
250
¥23.7413
5935.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
EF
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP21N65EF-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
100:¥71.3821
200:¥65.088
500:¥60.8618
1,000:¥55.8672
参考库存:55226
分立半导体
稳压二极管
100:¥46.1831
170:¥46.1831
200:¥42.4202
500:¥38.646
1,000:¥33.7305
参考库存:55231
分立半导体
整流器 A -CT 8A SFST 100V
10:¥672.0449
25:¥663.1292
50:¥640.6874
100:¥604.889
参考库存:55236
分立半导体
稳压二极管
100:¥83.3714
200:¥75.9925
500:¥71.1561
1,000:¥65.2349
参考库存:55241
分立半导体
稳压二极管
100:¥69.6984
207:¥69.6984
500:¥63.5512
1,000:¥55.4039
参考库存:55246
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