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分立半导体
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FP40R12KE3

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数量单价合计
1
¥669.7397
669.7397
5
¥657.4453
3287.2265
10
¥627.8619
6278.619
25
¥606.9569
15173.9225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
200 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP40R12KE3BOSA1 SP000083565
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格，FP40R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRB10H100CT-E3/81
Vishay Semiconductors
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肖特基二极管与整流器 100 Volt 10A Dual Common-Cathode
1:¥13.5261
10:¥11.2209
100:¥8.6784
500:¥7.5936
800:¥7.5936
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100:¥1.01474
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10,000:¥0.22261
20,000:查看
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100:¥47.4148
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VS-25RIA80
Vishay Semiconductors
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1:¥150.1431
10:¥136.4701
20:¥126.2436
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10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
参考库存:5158
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