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分立半导体
SISA12ADN-T1-GE3参考图片

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SISA12ADN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.3901
53.901
100
¥4.0906
409.06
500
¥3.3787
1689.35
1,000
¥2.7007
2700.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
51 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格，SISA12ADN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DZ2J39000L
Panasonic
分立半导体
稳压二极管 39V 5% 200mW FLT LD 1.25x2.5mm
1:¥4.1471
10:¥2.034
100:¥1.4012
500:¥1.1413
3,000:¥0.72207
9,000:查看
参考库存:43765
CEN-U57
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power
500:¥13.1419
1,000:¥12.2944
2,000:¥11.6842
5,000:¥11.2209
参考库存:37226
RN4907FE,LF(CT
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:41522
1SMA4749 R3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 24V
1:¥4.7686
10:¥3.4578
100:¥2.0227
1,000:¥0.85315
1,800:¥0.7458
参考库存:63384
S6016NRP
Littelfuse
分立半导体
SCR 16A 600V
1:¥15.8313
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.7575
1,000:¥7.1981
参考库存:4526
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