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分立半导体
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IPB020NE7N3 G

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数量单价合计
1
¥40.115
40.115
10
¥34.1147
341.147
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.0466
7011.65
1,000
¥21.2101
21210.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPB020NE7N3GATMA1 IPB2NE7N3GXT SP000676950
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB020NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A, 100V,SlimSMA AEC-Q101 Qualified
14,000:¥0.89157
28,000:¥0.82264
参考库存:38925
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 Description:
6:¥1,917.158
12:¥1,869.5172
30:¥1,843.3125
参考库存:38930
SMBJ5928AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:38935
STP26N65DM2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:1912
UES1302E3/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥157.9062
200:¥144.8434
500:¥137.9278
参考库存:38942
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