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分立半导体
ZXMN10A25GTA参考图片

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ZXMN10A25GTA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET
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1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.4128
74.128
100
¥5.6839
568.39
500
¥5.0285
2514.25
1,000
¥3.9663
3966.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
系列
ZXMN10A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMN10A25GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:56246
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