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分立半导体
2N4856A参考图片

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2N4856A

  • Central Semiconductor
  • 最新
  • JFET N-Ch 40Vds 40Vdg 40Vgsr 50mA 360mW
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数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥22.1254
221.254
100
¥20.1366
2013.66
250
¥18.1365
4534.125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
JFET
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Vgs-栅源极击穿电压
40 V
Vgs=0时的漏-源电流
50 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Pd-功率耗散
360 mW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N4856
封装
Bulk
类型
JFET
商标
Central Semiconductor
闸/源截止电压
4 V
最大漏极/栅极电压
40 V
工厂包装数量
2000
零件号别名
2N4856A
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格,2N4856A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
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12,800:¥0.99101
25,600:¥0.90626
参考库存:50356
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6:¥1,063.0814
12:¥1,013.5196
30:¥992.2304
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4,000:¥5.0059
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