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分立半导体
CSD16411Q3参考图片

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CSD16411Q3

  • Texas Instruments
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  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.6839
56.839
100
¥3.6725
367.25
1,000
¥2.938
2938
2,500
¥2.6668
6667
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16411Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
30 S
开发套件
TPS2592AAEVM-531, TPS2592BLEVM-531
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
41.600 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N3957/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
108:¥72.772
250:¥66.8508
500:¥60.9296
1,000:¥53.0987
参考库存:42719
JAN1N3040BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥117.181
250:¥106.8867
500:¥99.9711
1,000:¥91.6656
参考库存:42724
JAN1N5529BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥134.696
200:¥122.7858
500:¥114.8758
参考库存:42729
JANTXV1N758DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥172.664
250:¥158.4486
500:¥150.7646
参考库存:42734
CDLL3038
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥112.7966
250:¥102.8865
500:¥96.2082
1,000:¥88.2869
参考库存:42739
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