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分立半导体
STW30N65M5参考图片

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STW30N65M5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
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库存:6,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥69.0769
69.0769
10
¥62.3986
623.986
25
¥59.551
1488.775
100
¥51.641
5164.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
139 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW30N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh V Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW30N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:7090
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SMB 1A 20V Schottky
1:¥6.1472
10:¥5.3223
100:¥3.6838
1,000:¥2.7459
3,000:¥2.3165
参考库存:16062
分立半导体
高压触发二极管 VDRM=120 ITSM=30
1:¥9.605
10:¥8.6784
100:¥7.5258
500:¥6.7348
参考库存:2734
分立半导体
整流器 Sup Fast Rec Rectfr 600V, 1A
1:¥3.3787
10:¥2.2148
100:¥1.356
1,000:¥0.89948
5,000:¥0.77631
参考库存:31736
分立半导体
整流器 1000V 12A Std. Recovery
1:¥49.8669
10:¥44.7932
25:¥40.8043
100:¥36.8832
参考库存:3088
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