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分立半导体
IPB027N10N3 G参考图片

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IPB027N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥40.7252
40.7252
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
1,000
¥21.5152
21515.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
94 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPB027N10N3GATMA1 IPB27N1N3GXT SP000506508
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB027N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BYQ28E-200E,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
整流器 DUAL ULTRAFAST PWR DIODE
1:¥5.0737
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:6517
S4008LS3
Littelfuse
分立半导体
SCR Sensing
1:¥12.1362
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
参考库存:4004
Q4010R5
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 400V 10A 50-50-50mA
1:¥15.368
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
1,000:¥7.1981
参考库存:8581
FQD4N25TM-WS
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:11148
Q4025J6TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 Altnstr 400V 25A Iso 80-80-80 mA
1:¥48.1832
10:¥48.1041
25:¥48.025
100:¥42.6462
参考库存:3780
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