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分立半导体
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APT75GT120JU2

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
1
¥324.0388
324.0388
5
¥313.123
1565.615
10
¥302.9078
3029.078
25
¥280.1609
7004.0225
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
416 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT75GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVBC848CLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:58278
2SA2040-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 50V
1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0849
1,000:¥2.4747
参考库存:6400
TN5325N3-G
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET 250V 7Ohm
1:¥4.3053
10:¥4.2827
25:¥3.5708
100:¥3.2431
参考库存:13107
BFP450H6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:52844
S2DA-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 200V 1.5A
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
5,000:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:42146
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