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分立半导体
IRF6715MTRPBF参考图片

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IRF6715MTRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC
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数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
4,800
¥8.5315
40951.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MX
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
135 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SP001531626
商品其它信息
优势价格,IRF6715MTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥365.7584
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100:¥183.6476
250:¥168.5847
500:¥160.4374
参考库存:33216
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