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分立半导体
IRLR2905TRPBF参考图片

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IRLR2905TRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.9664
596.64
500
¥5.2771
2638.55
1,000
¥4.1697
4169.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001558410
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRLR2905TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-10CTQ150STRL-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥11.1418
10:¥9.2208
100:¥7.0286
500:¥6.0455
1,000:¥4.7686
参考库存:7932
SD103BWS-HG3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE SOD323-HG3
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
参考库存:77434
TFZVTR2.4B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Pd 500mW Iz(mA) Zener Diode
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:30121
SBR10B45P5-7
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45Vrrm 10A 0.55Vf 0.38mA SBR PowerDI5
1:¥3.842
10:¥3.1527
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
1,500:¥1.2656
参考库存:5818
2SC5086-O,LF
Toshiba
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:115015
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