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分立半导体
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BSC019N04NS G

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数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.2037
3101.85
1,000
¥4.9042
4904.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
BSC019N04NSGATMA1 BSC19N4NSGXT SP000388299
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC019N04NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST330S04P0
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6:¥1,247.7234
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500:¥2.1357
1,500:¥1.5029
4,500:查看
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5,000:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
参考库存:39804
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