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分立半导体
DMN2011UFDE-7参考图片

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DMN2011UFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7629
37.629
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.9323
5796.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-E-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
11.7 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.97 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2011
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21.6 ns
典型接通延迟时间
3.6 ns
商品其它信息
优势价格,DMN2011UFDE-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥146.9226
250:¥134.8542
500:¥128.3228
参考库存:40164
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥127.1702
250:¥115.8702
500:¥108.4235
参考库存:40169
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250:¥174.5059
500:¥166.0535
参考库存:40184
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