CSD87381PT详细参数_参考价格_CSD87381PT PDF资料_Texas Instruments

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PTAB-5
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	15 A
Rds On-漏源导通电阻	15.7 mOhms, 7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.9 V, 1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	3.9 nC, 8.9 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	4 W
配置	Dual
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.48 mm
长度	3 mm
系列	CSD87381P
晶体管类型	2 N-Channel
类型	Synchronous Buck NexFET Power Stage
宽度	2.5 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	40 S, 89 S
下降时间	3 ns, 2.9 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19.3 ns, 16.3 ns
工厂包装数量	250
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	10.6 ns, 16.8 ns
典型接通延迟时间	6.7 ns, 7.9 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TZM5249B-GS08	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 19 Volt 0.5 Watt	1:¥1.6159 10:¥1.3899 100:¥0.59212 500:¥0.49155 2,500:¥0.27685 5,000:查看	参考库存:50886
BZT52C5V1T-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 300mW 5.1V Zener AEC-Q101 Qualified	1:¥1.4577 10:¥1.3899 100:¥0.49155 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:48463
PZU6.2BA,115	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 40W SNGL 200mA 6.53V Single Zener diodes	1:¥1.921 10:¥1.3334 100:¥0.5537 1,000:¥0.37629 3,000:¥0.29945	参考库存:123365
PBSS4160DPN,115	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS	1:¥2.6103 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 3,000:¥0.71416	参考库存:32302
2SA1162-GR,LF	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V	1:¥0.7684 10:¥0.34578 100:¥0.25312 500:¥0.2147 3,000:¥0.15368 6,000:查看	参考库存:48024