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分立半导体
2N7002A-7参考图片

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2N7002A-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
3,000
¥0.33787
1013.61
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
220 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
540 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7002
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，2N7002A-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N5526D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥147.9961
200:¥135.8486
500:¥129.2494
参考库存:38260
JAN1N4125CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥150.6064
200:¥138.2329
500:¥131.5546
参考库存:38265
JANTX1N5536D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥147.9961
200:¥135.8486
500:¥129.2494
参考库存:38270
JAN1N3039D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.3011
200:¥134.244
500:¥127.7804
参考库存:38275
JANTXV1N759CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥133.5434
200:¥122.6389
500:¥116.6386
参考库存:38280
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