DMN26D0UDJ-7详细参数_参考价格_DMN26D0UDJ-7 PDF资料_Diodes Incorporated

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-963-6
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Id-连续漏极电流	240 mA
Rds On-漏源导通电阻	3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	450 mV
Vgs - 栅极-源极电压	4.5 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	300 mW
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	MOSFET Gate Drivers
系列	DMN26
晶体管类型	2 N-Channel
类型	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
商标	Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值	180 mS
下降时间	15.2 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	7.9 ns
工厂包装数量	10000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	13.4 ns
典型接通延迟时间	3.8 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FR6DR05	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 200V 6A REV Leads Fast Recovery	250:¥62.0144 500:¥58.0142 1,000:¥53.1778	参考库存:49781
IF1322A-TR	InterFET	分立半导体	PDF数据手册	JFET N-Ch Matched 30mV Dual Trans Reel/1000	1,000:¥123.3282	参考库存:49786
ES1G R2G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1A, 400V, SUPER FAST SM RECTIFIER	1:¥5.2997 10:¥4.8364 100:¥3.1301 1,000:¥1.04525 7,500:¥0.67574 22,500:查看	参考库存:49791
FR40JR02	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 600V 40A REV Leads Fast Recovery	200:¥108.8077 250:¥99.2027 500:¥92.8182 1,000:¥85.1342	参考库存:49796
TSSA3U45 E2G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 Trench Schottky SMD 3amp 45v	15,000:¥0.79891	参考库存:49801