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分立半导体
NPT1012B参考图片

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NPT1012B

  • MACOM
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,078.6754
1078.6754
2
¥1,048.866
2097.732
5
¥1,024.8196
5124.098
10
¥994.9198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格，NPT1012B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAP64-04W,115
NXP Semiconductors
分立半导体
PIN 二极管 PIN 100V 100MA
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.79891
参考库存:23916
KSD471ACYTA
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
2,000:¥0.46104
参考库存:52048
SI3139KL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-883 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
60,000:¥0.46895
100,000:查看
参考库存:41365
DDZ20BSF-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 500mW 19.11V Zener 0.5W 19.11V DIODE
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:47757
UMB4NTN
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:19454
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