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分立半导体
TK16G60W,RVQ参考图片

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TK16G60W,RVQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
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库存：7,251(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8722
42.8722
10
¥34.4198
344.198
100
¥31.4253
3142.53
250
¥28.3517
7087.925
1,000
¥21.4361
21436.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15.8 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
10.4 mm
长度
10 mm
系列
TK16G60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK16G60W,RVQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
Q6008LH4
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 8A 35-35-35mA
1:¥16.3624
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6727
参考库存:6119
PHB18NQ10T,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET TRENCH-100
1:¥6.6105
10:¥5.4579
100:¥3.5256
800:¥2.825
2,400:¥2.3843
参考库存:16581
S6006VTP
Littelfuse
分立半导体
SCR 6A 600V
1:¥9.4468
10:¥7.6049
100:¥5.8421
500:¥5.1528
1,000:¥4.068
参考库存:5628
Q6008DH4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 8A 35-35-35mA
1:¥12.2153
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9495
1,000:¥5.6387
参考库存:4005
VBT2080S-E3/8W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,80V,Trench
1:¥8.3733
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
800:¥3.5708
参考库存:11252
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