TC6215TG-G详细参数_参考价格_TC6215TG-G PDF资料_Microchip Technology

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOIC-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Rds On-漏源导通电阻	4 Ohms, 7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.65 mm
长度	4.9 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	TC621
晶体管类型	1 N-Channel, 1 P-Channel
类型	Enhancement Mode Dual Channel N & P
宽度	3.8 mm
商标	Microchip Technology
下降时间	11.3 ns, 11.1 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2.3 ns, 2.3 ns
工厂包装数量	3300
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	17.2 ns, 16.2 ns
典型接通延迟时间	2.5 ns, 2.4 ns
单位重量	85 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VS-8EWF10STRR-M3	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 New Input Diodes - D-PAK-e3	1:¥26.3516 10:¥21.8203 100:¥17.9783 250:¥17.4472	参考库存:52762
V10P12-M3/87A	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 10A,120V, TRENCH SKY RECT.	6,500:¥2.3843 13,000:¥2.3052 19,500:¥2.2148	参考库存:52767
VBT3045CBP-M3/4W	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 30A,45V,TRENCH SKY RECT.	3,000:¥8.5315	参考库存:52772
NPT1010B	MACOM	分立半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN	1:¥1,213.2245 2:¥1,193.0201 5:¥1,173.4259 10:¥1,154.4419 25:¥1,112.8692	参考库存:52777
UH6PJHM3_A/H	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	整流器 6A,600V, SMPC, SM Ultrafast Rectifier	3,000:¥3.8985	参考库存:52782