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分立半导体
SI9926CDY-T1-E3参考图片

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SI9926CDY-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥6.7913
67.913
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.4748
2237.4
1,000
¥4.2375
4237.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI9
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI9926CDY-E3
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格，SI9926CDY-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UDZS20B RRG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 200mW 20V
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥0.9831
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.31527
参考库存:57453
S1G-T R2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 Diode, 1A, 400V
1:¥1.695
10:¥1.5368
100:¥0.87575
1,000:¥0.32318
7,500:¥0.20792
22,500:查看
参考库存:57458
BZT55B22 L1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 500mW 2%
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:57463
CURC301-G
Comchip Technology
分立半导体
整流器 VR=50V, IO=3A
1:¥4.1471
10:¥3.0623
100:¥2.0792
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:57468
BZX79B12 R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 12v
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02152
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:57473
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