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分立半导体
TK65G10N1,RQ参考图片

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TK65G10N1,RQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
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数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥17.289
172.89
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.0684
6034.2
1,000
¥10.0683
10068.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
136 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
10.4 mm
长度
10 mm
系列
TK65G10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
44 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK65G10N1,RQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SS26LWHRQG
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20,000:¥0.56048
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100:¥1.13
1,000:¥0.82264
2,000:¥0.71416
10,000:¥0.66896
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S1J F2
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15,000:¥0.45313
22,500:¥0.4068
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10:¥4.5313
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100:¥150.9115
200:¥138.538
500:¥131.8597
参考库存:53062
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