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分立半导体
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CSD17579Q3A

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-VSONP
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.068
40.68
100
¥2.4747
247.47
1,000
¥1.9097
1909.7
2,500
¥1.6272
4068
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
39 A
Rds On-漏源导通电阻
10.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17579Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
37 S
开发套件
TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
27.300 mg
商品其它信息
优势价格，CSD17579Q3A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSM50GD120DLC
Infineon Technologies
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参考库存:42565
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3,000:¥0.33787
9,000:¥0.24634
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
参考库存:42575
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