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分立半导体
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FDS2672

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数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2433
3621.65
1,000
¥6.0003
6000.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS2672
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格，FDS2672的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FZT869TA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Ct Low Sat
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:23367
SI7326DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:17739
APT100GLQ65JU2
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块
1:¥291.6869
5:¥281.8446
10:¥272.7029
25:¥252.1934
参考库存:1736
STTH1R06
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Turbo II Ultrafast High Rectifier
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:30113
STTH2L06A
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 H ULTRAFAST DIODE
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
5,000:¥1.4238
参考库存:28715
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