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分立半导体
FQPF27P06参考图片

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FQPF27P06

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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.4015
740.15
500
¥6.5427
3271.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF27P06
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
185 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,FQPF27P06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 Bridge Rectifier
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
3,000:¥1.9888
参考库存:53467
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:53472
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC846A/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:53477
分立半导体
MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥10.2943
10:¥8.5315
100:¥6.4975
500:¥5.5822
800:¥4.407
参考库存:11875
分立半导体
桥式整流器 VR=100V, IO=1A
1:¥3.7629
10:¥2.8024
100:¥1.9097
1,000:¥1.3221
参考库存:53484
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