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分立半导体
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CSD25481F4

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.4634
24.634
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.73789
2213.67
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
913 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD25481F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.3 S
下降时间
6.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.9 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格，CSD25481F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N4371C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥90.7503
200:¥82.7612
500:¥77.4502
1,000:¥70.9979
参考库存:50172
JAN1N4247/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
131:¥60.0934
250:¥55.2457
500:¥50.3302
1,000:¥43.8779
参考库存:50177
JAN1N4122-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥42.7253
184:¥42.7253
200:¥39.2675
500:¥35.8097
1,000:¥31.1993
参考库存:50182
CDLL4755A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
272:¥26.1256
500:¥23.278
1,000:¥19.6733
2,500:¥18.1365
5,000:¥17.2099
参考库存:50187
CDLL5525/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥50.2511
142:¥50.2511
200:¥46.1831
500:¥42.1038
1,000:¥36.6572
参考库存:50192
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