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分立半导体
VN0104N3-G参考图片

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VN0104N3-G

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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥4.52
45.2
25
¥3.7177
92.9425
100
¥3.4013
340.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
300 mmho
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格,VN0104N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
100:¥103.1238
200:¥94.0499
500:¥87.9818
1,000:¥80.682
参考库存:33211
分立半导体
稳压二极管
100:¥113.565
200:¥103.508
500:¥96.8975
1,000:¥88.8293
参考库存:33216
分立半导体
稳压二极管
100:¥89.0553
200:¥81.2244
500:¥75.9134
1,000:¥69.6984
参考库存:33221
分立半导体
整流器 3200 Volt 380 Amp
12:¥887.728
36:¥869.0604
60:¥856.6869
108:¥825.5667
参考库存:33226
分立半导体
稳压二极管
100:¥133.5434
200:¥122.6389
500:¥116.6386
参考库存:33231
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