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分立半导体
SSM3J332R,LF参考图片

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SSM3J332R,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
144 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2.9 mm
系列
SSM3J332
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
5.7 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3J332R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 100mA
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
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分立半导体
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1:¥4.9155
10:¥3.7629
100:¥2.6329
500:¥2.6329
1,000:¥1.9436
参考库存:3509
分立半导体
稳压二极管 100mW 4.7V
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥1.05994
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:39896
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29154
参考库存:24248
分立半导体
稳压二极管 100MW 6.2V VMN2
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
8,000:¥0.5537
24,000:查看
参考库存:27000
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