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分立半导体
LND150N3-G参考图片

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LND150N3-G

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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥3.503
35.03
25
¥3.0058
75.145
100
¥2.6894
268.94
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
30 mA
Rds On-漏源导通电阻
1 kOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
1 mOhms
下降时间
1.3 us
产品类型
MOSFET
上升时间
0.45 us
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
90 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格,LND150N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 0.25A SCR
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.5369
10:¥2.3391
100:¥1.4577
500:¥1.3108
3,000:¥0.82264
9,000:查看
参考库存:38034
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D-PAK-e3
1:¥7.1416
10:¥5.8534
100:¥4.4974
500:¥3.8646
1,000:¥3.6612
3,000:¥3.39
参考库存:15111
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥866.5292
25:¥807.3624
100:¥784.2313
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分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 2500 Volt 300 Amp
1:¥668.2029
5:¥647.4561
10:¥626.4042
25:¥605.4992
参考库存:4100
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