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分立半导体
MG12105S-BA1MM参考图片

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MG12105S-BA1MM

  • Littelfuse
  • 最新
  • IGBT 模块 1200V 100A Dual
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数量单价合计
1
¥580.9104
580.9104
5
¥569.4635
2847.3175
10
¥545.6431
5456.431
25
¥528.049
13201.225
50
¥520.9752
26048.76
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
Package S
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
系列
MG12105S
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格，MG12105S-BA1MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ56D2/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥7.1642
4,500:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:35221
BCR30FR-8LB#BB0
Renesas Electronics
分立半导体
双向可控硅 TRIAC
暂无价格
参考库存:35226
JAN1N6630/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥123.6333
250:¥112.7288
500:¥105.429
参考库存:35231
JANTXV1N5614US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
153:¥94.129
250:¥85.8348
500:¥80.2978
1,000:¥73.6873
参考库存:35236
JANTXV1N4622UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥144.3801
200:¥132.549
500:¥126.0967
参考库存:35241
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