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分立半导体
CSD16325Q5参考图片

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CSD16325Q5

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
2,500
¥6.5992
16498
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16325Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
159 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
118 mg
商品其它信息
优势价格，CSD16325Q5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5244C-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 14 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:38001
TZMB16-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.5 Watt 2%
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:59873
DMP510DLW-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:38008
BZX384B6V2-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.2W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:59880
MMSZ5229B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:38015
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