RN2107MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN2107MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

分立半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.213
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2107MF
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SML4746HE3/5A	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Diode DO214-HE3	7,500:¥1.4012 15,000:¥1.2995 30,000:¥1.2317	参考库存:40074
VS-111RKI120M	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 Thyristors - TO-83/94 BRA SQ-e3	25:¥767.4734 50:¥756.9531 100:¥714.612	参考库存:40079
VS-10ETF02-M3	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 New Input Diodes - TO-220-e3	1,000:¥15.2098 3,000:¥14.4414 5,000:¥13.9103	参考库存:40084
8STH06I-M	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	整流器 8.0 Amp 600 Volt 100 Amp IFSM	1,000:¥8.9157 2,500:¥8.2942 5,000:¥7.9891 10,000:¥7.684	参考库存:40089
MBR60200PTE3/TU	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 Bridges	1,500:¥11.30 3,000:¥10.7576 6,000:¥9.9101	参考库存:40094

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