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分立半导体
TK50E06K3(S1SS-Q)参考图片

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TK50E06K3(S1SS-Q)

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参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK50E06K3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK50E06K3(S1SS-Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 3A/100V
1:¥5.2997
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.3052
2,500:¥1.9436
参考库存:6795
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:77792
分立半导体
稳压二极管
1:¥3.1527
10:¥1.7741
100:¥0.95259
500:¥0.76049
3,000:¥0.49155
6,000:查看
参考库存:19144
分立半导体
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
1,000:¥3.1301
1,500:¥3.1301
参考库存:8471
分立半导体
MOSFET 100V P-Chnl UMOS
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:4893
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