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分立半导体

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BSM75GAR120DN2

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10
¥586.3683
5863.683
30
¥566.8532
17005.596
100
¥527.8117
52781.17
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
IS4 (34 mm )-5
安装风格
Chassis Mount
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GAR120DN2HOSA1 SP000100462
单位重量
154.120 g
商品其它信息
优势价格，BSM75GAR120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ5229BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 4.3V 200mW
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:20442
FDS6682
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SO-8
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
2,500:¥4.2375
10,000:查看
参考库存:21474
1N3595
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Hi Conductance Fast
1:¥1.6159
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.31527
参考库存:146021
DDZ9711-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 500MW 27V LF
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:73173
MMDL301T1G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.28476
参考库存:61215
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