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分立半导体
NVMFS5C430NAFT3G参考图片

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NVMFS5C430NAFT3G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
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数量单价合计
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25255.5
10,000
¥4.859
48590
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
185 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
106 W, 3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
130 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
48 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFS5C430NAFT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥79.6085
参考库存:57561
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