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分立半导体
IPB60R125CP参考图片

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IPB60R125CP

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
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数量单价合计
1,000
¥23.5944
23594.4
2,000
¥22.4418
44883.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
70 nc
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
类型
600 V CoolMOS C6 Power Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPB60R125CPATMA1 IPB6R125CPXT SP000297368
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB60R125CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG05C6V8-M3-18
Vishay
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.2996
10:¥2.2487
100:¥1.5255
500:¥1.2204
6,000:¥0.791
12,000:查看
参考库存:46308
MMSZ4705-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.5W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:46313
BZX384B5V1-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:46318
DZ23C43-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 43 Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:46323
MMSZ5248C-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:46328
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