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分立半导体
CSD18501Q5A参考图片

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CSD18501Q5A

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
2,500
¥5.2658
13164.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
161 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18501Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
118 S
开发套件
EVMX777BG-01-00-00, EVMX777G-01-20-00
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
单位重量
87.800 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18501Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳流二极管 3.3mA Curr Reg
1:¥45.0305
10:¥44.6463
25:¥40.6461
100:¥36.725
参考库存:7070
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20Vr 14Vrms 20V 5.5A 0.55V 30pF
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:306567
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V, 10A
1:¥6.9947
10:¥5.8195
100:¥4.9494
250:¥4.3392
800:¥3.0284
2,400:查看
参考库存:6629
分立半导体
MOSFET SuperFET3 650V 23 mOhm
1:¥85.5975
10:¥78.6819
25:¥75.3823
100:¥66.4666
参考库存:6341
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A 20V
1:¥9.605
10:¥8.5315
25:¥7.6049
100:¥6.7122
800:¥4.1132
2,400:查看
参考库存:7918
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