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分立半导体
CSD17575Q3参考图片

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CSD17575Q3

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6896
66.896
100
¥5.1076
510.76
500
¥4.52
2260
2,500
¥3.1527
7881.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
182 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
108 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD17575Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
118 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
44.500 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17575Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60/20V 90A N-chnl PowerTrench MOSFET
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
2,500:¥3.1753
参考库存:72294
分立半导体
MOSFET Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
2,500:¥5.2997
参考库存:6066
分立半导体
分立半导体模块 MEDIUM POWER 62MM
1:¥2,745.8774
5:¥2,580.3663
参考库存:4793
分立半导体
MOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:15060
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-M3
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥2.1696
500:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.2543
参考库存:17527
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