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分立半导体
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BSS214N H6327

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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.60681
1820.43
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
106 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
800 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS214
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.8 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
零件号别名
BSS214NH6327XT BSS214NH6327XTSA1 SP000928936
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS214N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SBAV99LT1G
ON Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SS DUAL DIO SPCL TR
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.46104
参考库存:384219
BAT18,235
NXP Semiconductors
分立半导体
PIN 二极管 35V 100mA Single
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
10,000:¥0.88366
20,000:查看
参考库存:68071
FGH50N3
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
IGBT 晶体管 300V PT N-Channel
1:¥63.2348
10:¥57.1667
25:¥54.4773
100:¥47.3357
参考库存:6018
BYG23M-E3/TR3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.5 Amp 1000 Volt
1:¥3.5369
10:¥2.3843
100:¥1.6046
500:¥1.2882
1,000:¥0.96841
7,500:¥0.96841
参考库存:518075
BUK9606-75B,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:25562
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