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分立半导体
IRF7769L1TRPBF参考图片

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IRF7769L1TRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC
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数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
4,000
¥14.0572
56228.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-L8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
124 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
200 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.74 mm
长度
9.15 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7.1 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
410 S
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
44 ns
零件号别名
SP001566418
单位重量
176.520 mg
商品其它信息
优势价格，IRF7769L1TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR50045CT
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
1:¥712.2277
5:¥703.2442
10:¥667.6605
25:¥636.5403
参考库存:3131
KBU402G T0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥5.8986
参考库存:12808
STFW12N120K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
1:¥80.1396
10:¥72.3878
25:¥69.0769
100:¥59.9352
250:¥57.2458
参考库存:2990
MB3045S-E3/8W
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 RECOMMENDED ALT 78-VBT3045BP-M3/8W
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.4297
800:¥5.0737
参考库存:13562
CDBA140SL-HF
Comchip Technology
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=1A
1:¥5.1528
10:¥3.8307
100:¥2.6103
1,000:¥1.808
5,000:¥1.5481
参考库存:60844
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