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分立半导体
CSD18531Q5A参考图片

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CSD18531Q5A

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
2,500
¥5.2658
13164.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18531Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
DRV8711EVM
下降时间
2.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18531Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PZU5.6BL,315
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 40W SNGL 200mA 5.92V Single Zener diodes
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:37706
NZ9F5V1T5G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥2.147
10:¥1.4351
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:71978
APT2X61DQ120J
Microsemi
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥187.4105
5:¥179.0372
10:¥173.4324
25:¥159.3639
参考库存:35873
DAN222T1G
ON Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:116430
MMBT4403M3T5G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-723 GP PNP TRANS
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
8,000:¥0.26894
24,000:查看
参考库存:97757
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