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分立半导体
NTJD4001NT1G参考图片

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NTJD4001NT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 30V 250mA Dual N-Channel
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.3617
23.617
100
¥1.01474
101.474
1,000
¥0.78422
784.22
3,000
¥0.59212
1776.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4 V
Qg-栅极电荷
0.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
272 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJD4001N
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
82 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
94 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
290 mg
商品其它信息
优势价格,NTJD4001NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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分立半导体模块 THYR / DIODE MODULE DK
1:¥713.0752
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10:¥668.4289
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10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
2,500:¥0.40002
8,000:¥0.34578
参考库存:40733
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1:¥14.5996
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8026
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1:¥16.2946
10:¥13.5261
100:¥10.4525
500:¥9.2208
800:¥7.571
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1:¥8.2942
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:7579
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