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分立半导体
FMMT413TD参考图片

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FMMT413TD

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
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数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
500
¥25.5154
12757.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
150 mV
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMMT41
直流电流增益 hFE 最大值
50 at 10 mA, 10 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at 10 mA, 10 V
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，FMMT413TD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba
分立半导体
稳压二极管 36V 0.7W S-FLAT
1:¥4.2262
10:¥3.1527
100:¥2.0001
1,000:¥1.5368
3,000:¥1.3108
参考库存:13279
SMMBT5551LT3G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 HV XSTR SPCL TR
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
10,000:¥0.47686
20,000:查看
参考库存:49321
1SS397TE85LF
Toshiba
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 0.1A 400V Switching High-Speed Diode
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:13233
FS450R12OE4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 450A 1200V
1:¥3,830.7791
5:¥3,599.954
参考库存:1505
DTC123TET1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:27987
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